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쿠데타 진압 3주년 맞은 에르도안 "다시는 배반있어선 안돼"

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작성자 춘살어 작성일19-07-16 16:25 조회255회 댓글0건

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"S-400 인수 내년 4월 완료…다음 목표는 러시아와 공동생산"

쿠데타 희생자 가족과 함께 한 에르도안(가운데) 터키 대통령 [AP=연합뉴스]

(이스탄불=연합뉴스) 김승욱 특파원 = 군부 쿠데타 진압 3주년을 맞은 레제프 타이이프 에르도안 터키 대통령은 15일 "다시는 배반 행위가 있어서는 안 된다"고 강조했다.

관영 아나돌루통신에 따르면 에르도안 대통령은 이날 수도 앙카라에서 열린 새 경찰청사 준공식에 참석해 "3년 전과 같은 배반이 재발하지 않도록 모든 예방조치를 하고 있다"며 이같이 말했다.

에르도안 대통령은 "군인과 경찰, 정보부대 등 터키의 민주주의를 수호하는 기관이 있는 한 누구도 이 나라를 무릎 꿇릴 수 없을 것"이라고 말했다.

그는 미국의 반대를 무릅쓰고 도입한 러시아제 S-400 지대공 미사일을 언급하며 "S-400 인수는 내년 4월에 완료될 것"이라고 밝혔다.

이어 "일부는 우리가 S-400을 도입할 수 없거나 우리 땅에 배치할 수 없을 것이라고 했지만 이미 S-400의 인수가 시작됐다"며 "다음 목표는 러시아와의 공동생산"이라고 덧붙였다.

이날은 2016년 군부가 주도한 쿠데타가 6시간 만에 진압된 지 정확히 3년째 되는 날로 터키 정부는 2017년부터 7월 15일을 '민주주의와 국가통합일'로 정해 기념하고 있다.

에르도안 대통령은 이날 앙카라의 순교자 기념비를 찾아 헌화하고 쿠데타로 목숨을 잃은 희생자들의 넋을 기렸다.

이어 그는 쿠데타 진압 성공을 기념해 열린 임시국회에 참석했다.

이스탄불 탁심 광장에 설치된 쿠데타진압 3주년 기념 디스플레이 [아나돌루=연합뉴스]

터키 최대 도시 이스탄불에서도 정부 주도의 기념행사가 곳곳에서 열렸다.

2010년대 초 터키 민주주의의 성지로 불린 탁심 광장에는 대통령실 직속 언론청 주도로 대형 디스플레이가 설치돼 쿠데타 당시의 영상을 비췄다.

또 대통령실과 외교부, 국방부 등 정부 주요 웹사이트 홈페이지에는 쿠데타 진압 영상이 게재됐다.

3년 전 터키 군부는 에르도안 대통령이 휴가를 떠난 틈을 이용해 이스탄불 아타튀르크국제공항과 보스포루스 대교, 앙카라 국제공항, 국영방송사 등을 장악하며 군사 정변을 시도했다.

그러나 시민의 저항과 에르도안 대통령의 복귀로 6시간 만에 쿠데타는 실패로 끝났다.

쿠데타 과정에서 251명이 목숨을 잃었고 2천200여명의 부상자가 발생했다.

쿠데타를 지휘한 것으로 알려진 아큰 외즈튀르크 전 공군사령관은 지난달 '가중처벌 종신형'을 선고받았다.

'가중처벌 종신형'은 터키가 유럽연합(EU)에 가입하기 위해 사형제를 대체해 도입한 제도로 가석방이 극도로 어렵거나 불가능하며 수감조건이 일반 종신형보다 엄격하다.

에르도안 대통령은 지난 4월 쿠데타 시도와 관련한 혐의로 2만226명이 유죄 판결을 받았다고 밝힌 바 있다.

그는 한때 자신의 동지였던 재미 이슬람학자 펫훌라흐 귈렌을 쿠데타의 수괴로 지목하고 미국에 그의 신병을 넘길 것을 요구했으나 미국은 명확한 증거가 없다며 이에 응하지 않고 있다.

이스탄불에서 열린 쿠데타진압 3주년 기념 집회 [AP=연합뉴스]

kind3@yna.co.kr

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IBS 연구진, 그래핀 제조시간 단축 방안 제시펑딩 IBS 다차원탄소재료연구단 그룹리더. IBS 제공. 그래핀은 꿈의 소재로 불린다. 물리화학적 안정성이 뛰어나고 전기전도도, 강도가 기존 소재보다 비교할 수 없을 정도로 좋다. 반도체에 주로 쓰이는 실리콘보다 전자의 이동성이 100배 이상 좋다. 그래핀을 다양한 분야에 활용하려면 대면적 제작이 필요하다. 또 제조 시간도 줄여야 한다.

기초과학연구원(IBS) 다차원탄소재료연구단의 펑딩 그룹리더 연구팀은 중국 연구진과의 공동연구를 통해 불소(F)를 주입해 기존보다 3배 빠른 속도로 그래핀을 성장시키는 데 성공하고 연구결과를 학술지 ‘네이처 케미스트리’ 16일자(한국시간)에 발표했다. 지금까지 학계에 보고된 최고 속도다. 그래핀 상용화를 위한 여러 퍼즐 중 제조시간 단축이라는 퍼즐의 실마리를 제시한 셈이다.

그래핀처럼 물성이 좋은 2차원 소재 제조시간을 줄이기 위해 지금까지 원료물질을 바꾸거나 온도를 조절하는 등 제조 환경을 바꾸는 방법이 시도됐다. 하지만 이 방식으로는 그래핀의 성장을 완전히 제어할 수 없어 근본적인 해결책이 필요한 상황이다.

연구진은 해결책으로 불소에 주목했다. 불소는 원자나 분자가 화학결합을 할 때 다른 전자를 끌어들이는 능력인 전기음성도가 높아 반응성이 좋다. 연구진은 이같은 특성이 있는 불소를 합성과정에 적용하면 2차원 소재를 빠르게 합성하는 데 유리할 것으로 예상했다.

그러나 불소 기체를 곧바로 주입할 경우 반응성이 큰 불소가 다른 물질과 결합해 독성물질을 생성할 위험이 있다. 때문에 연구진은 공간적으로 제한된 부분에서만 국소적으로 불소를 활용하는 방법을 고안했다.

일반적으로 그래핀 성장에는 화학기상증착법(CVD)이 활용된다. 금속기판 표면에 메탄가스를 주입하며 메탄 속 탄소 원자가 금속 기판에 흡착하는 식으로 그래핀을 형성하는 방식이다.
연구진은 금속 기판으로 불소를 함유한 금속불화물을 사용하고 이 위에 얇은 구리 필름을 올린 형태의 기판을 제작했다. 그리고 온도를 높여 불소가 금속불화물로부터 방출되도록 했다. 불소는 금속불화물과 구리 필름 사이의 10~20마이크로미터의 매우 좁은 공간에서만 머문다. 불소가 다른 물질과 반응하지 않도록 일종의 장벽을 세워 가둔 것이다. 이 틈 속에서 불소로 인해 메탄가스는 더 분해가 쉬운 형태의 기체로 바뀌고 최종적으로 그래핀은 더 손쉽게 원료인 탄소를 얻어 더 빠르게 성장할 수 있다.

새로 개발된 기술을 적용한 결과 그래핀을 분당 12mm의 속도로 빠르게 성장시키는 것으로 나타났다. 이는 지금까지 보고된 그래핀 성장 최고속도였던 분당 3.6mm보다 3배 이상 빠른 속도다.

펑딩 그룹리더는 “2차원 물질의 성장과정에서 불소를 국소적으로 주입하는 간단한 방식으로 상용화의 걸림돌이 되던 성장속도 문제를 해결했다”며 “불소와 같은 반응성이 좋은 물질들로 다양한 2차원 물질을 더 빠른 속도로 합성할 수 있을 것”이라고 말했다.

[김민수 기자 reborn@donga.com]

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